C3M0280090J-TR 가격 (USD) [24378PC 주식]
- 1 pcs$1.69898
- 800 pcs$1.69053
- 부품 번호:
- C3M0280090J-TR
- 제조사:
- Cree/Wolfspeed
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 900V 11A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 사이리스터 - SCR ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0280090J-TR electronic components. C3M0280090J-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0280090J-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0280090J-TR 제품 속성
부품 번호 :
C3M0280090J-TR
제조사 :
Cree/Wolfspeed
기술 :
MOSFET N-CH 900V 11A
시리즈 :
C3M™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 1.2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.5nC @ 15V
Vgs (최대) :
+18V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
150pF @ 600V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
50W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
D2PAK-7
패키지 / 케이스 :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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