제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1000V (1kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4350pF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)