[9607PC 주식]
- 부품 번호:
- IRG8B08N120KDPBF
- 상세 설명:
- DIODE 1200V 8A TO-220.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IRG8B08N120KDPBF electronic components. IRG8B08N120KDPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8B08N120KDPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG8B08N120KDPBF 제품 속성
부품 번호 :
IRG8B08N120KDPBF
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
DIODE 1200V 8A TO-220
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
IGBT 유형 :
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
15A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
15A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 5A
전력 - 최대 :
89W
스위칭 에너지 :
300µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
45nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
20ns/160ns
시험 조건 :
600V, 5A, 47 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
50ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220AB
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