GeneSiC Semiconductor - MURTA600120R

KEY Part #: K6468990

MURTA600120R 가격 (USD) [671PC 주식]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334

부품 번호:
MURTA600120R
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120R 제품 속성

부품 번호 : MURTA600120R
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 구성 : 1 Pair Common Anode
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 300A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 2.6V @ 300A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 25µA @ 1200V
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Three Tower
공급 업체 장치 패키지 : Three Tower
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