제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Three Level Inverter - IGBT, FET
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 30A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
1.6nF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)