IXYS - IXFN55N50

KEY Part #: K6397965

IXFN55N50 가격 (USD) [2945PC 주식]

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  • 10 pcs$14.28215
  • 25 pcs$13.12436
  • 100 pcs$12.19790
  • 250 pcs$11.19429

부품 번호:
IXFN55N50
제조사:
IXYS
상세 설명:
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN55N50 제품 속성

부품 번호 : IXFN55N50
제조사 : IXYS
기술 : MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
시리즈 : HiPerFET™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 8mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 625W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-227B
패키지 / 케이스 : SOT-227-4, miniBLOC

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