기술 :
MOSFET N-CH 30V 1.8A SCH6
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 900mA, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
88pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666