부품 번호 :
SSM3K303T(TE85L,F)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
83 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.6V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3.3nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
180pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3