기술 :
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
57nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
870pF @ 800V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)