Infineon Technologies - BTS282ZE3180AATMA2

KEY Part #: K6399855

BTS282ZE3180AATMA2 가격 (USD) [31424PC 주식]

  • 1 pcs$1.31155
  • 1,000 pcs$1.00084

부품 번호:
BTS282ZE3180AATMA2
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BTS282ZE3180AATMA2 제품 속성

부품 번호 : BTS282ZE3180AATMA2
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
시리즈 : TEMPFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 49V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 240µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 232nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4800pF @ 25V
FET 특징 : Temperature Sensing Diode
전력 발산 (최대) : 300W (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PG-TO263-7-1
패키지 / 케이스 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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