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Microchip Technology - VP2206N3-G

KEY Part #: K6399951

VP2206N3-G 가격 (USD) [47714PC 주식]

  • 1 pcs$0.83620
  • 25 pcs$0.69371
  • 100 pcs$0.63217
부품 번호:
VP2206N3-G
제조사:
Microchip Technology
상세 설명:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Microchip Technology VP2206N3-G electronic components. VP2206N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VP2206N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N3-G 제품 속성

부품 번호 : VP2206N3-G
제조사 : Microchip Technology
기술 : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 640mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3.5V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 450pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 740mW (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-92-3
패키지 / 케이스 : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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