해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. 집
  2. 제품
  3. 이산 반도체 제품
  4. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single
  5. VP2206N3-G

Microchip Technology - VP2206N3-G

KEY Part #: K6399951

VP2206N3-G 가격 (USD) [47714PC 주식]

  • 1 pcs$0.83620
  • 25 pcs$0.69371
  • 100 pcs$0.63217
부품 번호:
VP2206N3-G
제조사:
Microchip Technology
상세 설명:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Microchip Technology VP2206N3-G electronic components. VP2206N3-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VP2206N3-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N3-G 제품 속성

부품 번호 : VP2206N3-G
제조사 : Microchip Technology
기술 : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 640mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3.5V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 450pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 740mW (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-92-3
패키지 / 케이스 : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

뜨거운 부품