Microsemi Corporation - APT22F80B

KEY Part #: K6396158

APT22F80B 가격 (USD) [8040PC 주식]

1 pcs$5.63655
10 pcs$5.07334
100 pcs$4.17131
500 pcs$3.49488

부품 번호:: APT22F80B

제조사:: Microsemi Corporation

상세 설명:: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247.

제조업체의 표준 리드 타임:: 재고

수명:: 일년

칩 출처:: 홍콩

RoHS:

결제 방법:

배송 방법:

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...

경쟁 우위:: We specialize in Microsemi Corporation APT22F80B electronic components. APT22F80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT22F80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT22F80B 제품 속성

부품 번호 : APT22F80B

제조사 : Microsemi Corporation

기술 : MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 800V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (최대) : ±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4595pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 625W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-247 [B]

패키지 / 케이스 : TO-247-3

최근 소식

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다

DMP6110SVT-13

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 60V TSOT26.
SSN1N45BTA

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.
IRFI9Z24GPBF

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.
DMG9N65CT

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.
DMG4N60SCT

Diodes Incorporated

MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.
FDN8601

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

English 한국의