제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Three Level Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
379A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 300A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
23.3nF @ 30V
패키지 / 케이스 :
Dual INT-A-PAK (4 + 8)
공급 업체 장치 패키지 :
Dual INT-A-PAK