SCTWA50N120 가격 (USD) [3254PC 주식]
- 1 pcs$13.31107
- 600 pcs$11.70018
- 부품 번호:
- SCTWA50N120
- 제조사:
- STMicroelectronics
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in STMicroelectronics SCTWA50N120 electronic components. SCTWA50N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTWA50N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCTWA50N120 제품 속성
부품 번호 :
SCTWA50N120
제조사 :
STMicroelectronics
기술 :
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
122nC @ 20V
Vgs (최대) :
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1900pF @ 400V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
318W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
HiP247™
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
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