기술 :
MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
29.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1400pF @ 6V
전력 발산 (최대) :
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스 :
6-XFBGA, WLCSP