NXP USA Inc. - PSMN9R0-30YL,115

KEY Part #: K6415216

[12486PC 주식]


    부품 번호:
    PSMN9R0-30YL,115
    제조사:
    NXP USA Inc.
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN9R0-30YL,115 제품 속성

    부품 번호 : PSMN9R0-30YL,115
    제조사 : NXP USA Inc.
    기술 : MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 61A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 2.15V @ 1mA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 17.8nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±20V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1006pF @ 12V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 46W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : LFPAK56, Power-SO8
    패키지 / 케이스 : SC-100, SOT-669

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