SI7898DP-T1-E3 가격 (USD) [100006PC 주식]
- 1 pcs$0.39099
- 3,000 pcs$0.32302
- 부품 번호:
- SI7898DP-T1-E3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7898DP-T1-E3 electronic components. SI7898DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7898DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7898DP-T1-E3 제품 속성
부품 번호 :
SI7898DP-T1-E3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
150V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
1.9W (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SO-8
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3