SH8M13GZETB 가격 (USD) [243798PC 주식]
- 1 pcs$0.16772
- 2,500 pcs$0.16689
- 부품 번호:
- SH8M13GZETB
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8M13GZETB electronic components. SH8M13GZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M13GZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8M13GZETB 제품 속성
부품 번호 :
SH8M13GZETB
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N and P-Channel
FET 특징 :
-
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
18nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1200pF @ 10V
전력 - 최대 :
2W
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP
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