기술 :
MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.8V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
295pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6