기술 :
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
부품 상태 :
Not For New Designs
트랜지스터 유형 :
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA, 150mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666