Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J351R,LF

KEY Part #: K6416596

SSM3J351R,LF 가격 (USD) [809708PC 주식]

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  • 3,000 pcs$0.04594

부품 번호:
SSM3J351R,LF
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J351R,LF 제품 속성

부품 번호 : SSM3J351R,LF
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
시리즈 : U-MOSVI
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 134 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15.1nC @ 10V
Vgs (최대) : +10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 660pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2W (Ta)
작동 온도 : 150°C
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23F
패키지 / 케이스 : SOT-23-3 Flat Leads

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