Central Semiconductor Corp - CDM22010-650 SL

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부품 번호 : CDM22010-650 SL

제조사 : Central Semiconductor Corp

기술 : MOSFET N-CH 10A 650V TO220

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (최대) : 30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1168pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 2W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-220

패키지 / 케이스 : TO-220-3

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