STMicroelectronics - STP20NM50FD

KEY Part #: K6397463

STP20NM50FD 가격 (USD) [26288PC 주식]

  • 1 pcs$1.57558
  • 1,000 pcs$1.56775

부품 번호:
STP20NM50FD
제조사:
STMicroelectronics
상세 설명:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in STMicroelectronics STP20NM50FD electronic components. STP20NM50FD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP20NM50FD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP20NM50FD 제품 속성

부품 번호 : STP20NM50FD
제조사 : STMicroelectronics
기술 : MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
시리즈 : FDmesh™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (최대) : ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1380pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 192W (Tc)
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220AB
패키지 / 케이스 : TO-220-3

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.