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ON Semiconductor - NVMFS5C410NLAFT1G

KEY Part #: K6397303

NVMFS5C410NLAFT1G 가격 (USD) [84207PC 주식]

  • 1 pcs$0.59105
  • 1,500 pcs$0.58811
부품 번호:
NVMFS5C410NLAFT1G
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 사이리스터 - SCR ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C410NLAFT1G electronic components. NVMFS5C410NLAFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C410NLAFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C410NLAFT1G 제품 속성

부품 번호 : NVMFS5C410NLAFT1G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 50A (Ta), 330A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 0.82 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 8862pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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