[1655PC 주식]
- 부품 번호:
- SQ2360EES-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ2360EES-T1-GE3 electronic components. SQ2360EES-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2360EES-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ2360EES-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SQ2360EES-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
370pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
3W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR