기술 :
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
168A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.1V @ 50mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9500pF @ 800V