CSD25501F3T 가격 (USD) [496081PC 주식]
- 1 pcs$0.07456
- 부품 번호:
- CSD25501F3T
- 제조사:
- Texas Instruments
- 상세 설명:
- 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Texas Instruments CSD25501F3T electronic components. CSD25501F3T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD25501F3T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD25501F3T 제품 속성
부품 번호 :
CSD25501F3T
제조사 :
Texas Instruments
기술 :
20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
시리즈 :
FemtoFET™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
76 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.05V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.33nC @ 4.5V
Vgs (최대) :
-20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
385pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
500mW (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
3-LGA (0.73x0.64)
패키지 / 케이스 :
3-XFLGA
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