Rohm Semiconductor - RQ3E100MNTB1

KEY Part #: K6405099

RQ3E100MNTB1 가격 (USD) [222668PC 주식]

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  • 3,000 pcs$0.18272

부품 번호:
RQ3E100MNTB1
제조사:
Rohm Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E100MNTB1 제품 속성

부품 번호 : RQ3E100MNTB1
제조사 : Rohm Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 9.9nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 520pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2W (Ta)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN

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