기술 :
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
부품 상태 :
Not For New Designs
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
520pF @ 15V
공급 업체 장치 패키지 :
8-HSMT (3.2x3)