Global Power Technologies Group - GSID200A120S5C1

KEY Part #: K6532474

GSID200A120S5C1 가격 (USD) [494PC 주식]

  • 1 pcs$93.86639
  • 10 pcs$89.33491
  • 25 pcs$86.31392

부품 번호:
GSID200A120S5C1
제조사:
Global Power Technologies Group
상세 설명:
IGBT MODULE 1200V 335A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
경쟁 우위:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A120S5C1 electronic components. GSID200A120S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A120S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A120S5C1 제품 속성

부품 번호 : GSID200A120S5C1
제조사 : Global Power Technologies Group
기술 : IGBT MODULE 1200V 335A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
구성 : Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 335A
전력 - 최대 : -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 22.4nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.