부품 번호 :
DF23MR12W1M1B11BOMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET MODULE 1200V 25A
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5.5V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
620nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2000pF @ 800V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)