제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
129pF @ 15V
패키지 / 케이스 :
6-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
6-UDFN (2x2)