기술 :
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
29.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
24.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
38.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2436pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-1205, 8-LFPAK56