Infineon Technologies - IRFHM792TR2PBF

KEY Part #: K6523919

[4004PC 주식]


    부품 번호:
    IRFHM792TR2PBF
    제조사:
    Infineon Technologies
    상세 설명:
    MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 사이리스터 - 트라이 액 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFHM792TR2PBF 제품 속성

    부품 번호 : IRFHM792TR2PBF
    제조사 : Infineon Technologies
    기술 : MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
    시리즈 : HEXFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
    FET 특징 : Standard
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.3A
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 2.9A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 10µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 251pF @ 25V
    전력 - 최대 : 2.3W
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN
    공급 업체 장치 패키지 : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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