기술 :
MOSFET N/P-CH TSSOP6
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V, 50V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
170mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
17pF @ 10V, 36pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363