부품 번호 :
SIZF906ADT-T1-GE3
기술 :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual), Schottky
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전력 - 최대 :
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-PowerPair® (6x5)