IPN60R3K4CEATMA1 가격 (USD) [514616PC 주식]
- 1 pcs$0.07187
- 3,000 pcs$0.06317
- 부품 번호:
- IPN60R3K4CEATMA1
- 상세 설명:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPN60R3K4CEATMA1 electronic components. IPN60R3K4CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R3K4CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN60R3K4CEATMA1 제품 속성
부품 번호 :
IPN60R3K4CEATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
시리즈 :
CoolMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 40µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
93pF @ 100V
FET 특징 :
Super Junction
전력 발산 (최대) :
5W (Tc)
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PG-SOT223
패키지 / 케이스 :
SOT-223-3
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