기술 :
MOSFET N-CH 900V 11A
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 1.2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.5nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
150pF @ 600V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA