기술 :
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
7.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
30nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
910pF @ 6V
전력 발산 (최대) :
2W (Ta), 3W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6