제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET BVDSS 8V-24V SO-8 TR 2.
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
19nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
834pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)