기술 :
MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A, 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 10A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1000pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)