[857PC 주식]
- 부품 번호:
- TPC6107(TE85L,F,M)
- 상세 설명:
- MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107(TE85L,F,M) electronic components. TPC6107(TE85L,F,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC6107(TE85L,F,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC6107(TE85L,F,M) 제품 속성
부품 번호 :
TPC6107(TE85L,F,M)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
시리즈 :
U-MOSIV
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.2V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.8nC @ 5V
Vgs (최대) :
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
680pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
700mW (Ta)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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