[856PC 주식]
- 부품 번호:
- TPC6006-H(TE85L,F)
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC6006-H(TE85L,F) electronic components. TPC6006-H(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC6006-H(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC6006-H(TE85L,F) 제품 속성
부품 번호 :
TPC6006-H(TE85L,F)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
시리즈 :
U-MOSIII-H
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.4nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
251pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
700mW (Ta)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- PSMN010-55D,118
- SCT50N120
- AOT440L_001
- DMN2400UFDQ-7
- IPA80R460CEXKSA1
- GP1M006A065FH
- PMFPB8040XP,115
- APT28F60S
- IRLR3715TRRPBF
- AON7246
- STS3P6F6
- AUIRFP2907Z
- 2N7002L6327HTSA1
- TPCP8001-H(TE85LFM
- IRF3707ZCSTRLP
- APT8024LLLG
- SPA03N60C3XKSA1
- SPP80N08S2L-07
- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
- MIC94050BM4 TR
- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
- IRL2910L
- SI4420DY
- IRLU3303
- IRFZ34NS
- 2SK3047
- STD10PF06T4
- IPD60R1K4C6
- IPW65R125C7XKSA1
- SIHP15N60E-E3
- STF12NM65
- AUIRF1324STRL
- AUIRF1405ZS-7TRL
- SI4190ADY-T1-GE3
- BUK7M21-40EX
- RQ6E035ATTCR