기술 :
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 50A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
220nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
12500pF @ 20V
전력 발산 (최대) :
1.75W (Ta), 90W (Tc)