SSM6N815R,LF 가격 (USD) [622023PC 주식]
- 1 pcs$0.05946
- 부품 번호:
- SSM6N815R,LF
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 다이오드 - 정류기 - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF electronic components. SSM6N815R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N815R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N815R,LF 제품 속성
부품 번호 :
SSM6N815R,LF
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
시리즈 :
U-MOSVIII-H
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate, 4V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
290pF @ 15V
전력 - 최대 :
1.8W (Ta)
작동 온도 :
150°C
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 :
6-TSOP-F
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