기술 :
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
트랜지스터 유형 :
NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
56 @ 50mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3