CSD85312Q3E 가격 (USD) [244691PC 주식]
- 1 pcs$0.15525
- 2,500 pcs$0.15448
- 부품 번호:
- CSD85312Q3E
- 제조사:
- Texas Instruments
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - RF and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Texas Instruments CSD85312Q3E electronic components. CSD85312Q3E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD85312Q3E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD85312Q3E 제품 속성
부품 번호 :
CSD85312Q3E
제조사 :
Texas Instruments
기술 :
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
시리즈 :
NexFET™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 특징 :
Logic Level Gate, 5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2390pF @ 10V
전력 - 최대 :
2.5W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 :
8-VSON (3.3x3.3)
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