기술 :
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
공급 업체 장치 패키지 :
TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63