Diodes Incorporated - DMN3016LDN-13

KEY Part #: K6522468

DMN3016LDN-13 가격 (USD) [462518PC 주식]

  • 1 pcs$0.07997
  • 10,000 pcs$0.07048

부품 번호:
DMN3016LDN-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - RF and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3016LDN-13 제품 속성

부품 번호 : DMN3016LDN-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1415pF @ 15V
전력 - 최대 : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 : V-DFN3030-8 (Type J)

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