[8517PC 주식]
- 부품 번호:
- NDP7061
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 60V 64A TO-220.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NDP7061 electronic components. NDP7061 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDP7061, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDP7061 제품 속성
부품 번호 :
NDP7061
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET N-CH 60V 64A TO-220
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1930pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
130W (Tc)
작동 온도 :
-65°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220-3
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- DMTH10H025LK3-13
- PSMN8R9-100BSEJ
- AO6409_DELTA
- TSM6N60CH C5G
- IXFX80N15Q
- 5LN01SP-AC
- NTMFS4C53NT3G
- FDB8160-F085
- SI1307DL-T1-E3
- AOI508
- FCI25N60N
- RJK0856DPB-00#J5
- SI8405DB-T1-E3
- SI5475DC-T1-E3
- IXTC13N50
- IPI80CN10N G
- NTB30N20T4G
- SI1410EDH-T1-E3
- SI1400DL-T1-E3
- HUFA75333P3
- 2SK2504TL
- AOTF474
- IRL3715Z
- MTD5P06VT4
- SPP08N50C3XKSA1
- SPI80N06S-08
- FQB4N20LTM
- IRF3711ZL
- IRF7523D1
- IRFP440
- IXTQ120N15P
- AUIRF1324STRL7P
- BSB015N04NX3GXUMA1
- SIDR622DP-T1-GE3
- SQJ412EP-T1_GE3
- IXTP5N60P
- IPI45N06S4L08AKSA3
- IRFZ34NSTRRPBF
- BSC067N06LS3GATMA1
- AO4423