제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
TRANS SJT 650V 4A TO276
과학 기술 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Tc) (165°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
415 mOhm @ 4A
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
324pF @ 35V
작동 온도 :
-55°C ~ 225°C (TJ)